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J-GLOBAL ID：200903027001932447

薄膜形成方法

Inventor： 森田 清之 ,  大塚 隆 ,  森田 真登 ,  辻 弘恭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003005687
Publication number (International publication number)：2004221239
Application date： Jan. 14, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】基板上に形成した誘電体や金属ペーストを加熱して有機物を分解除去して誘電体や金属薄膜を得る工程の生産性を高くし,歩留を向上する方法を提供する。【解決手段】誘電体ペースト102や金属ペーストを表面に形成したガラス基板101を断熱容器104内に設置し,上記断熱容器104ごと1GHz以上で100GHz以下のミリ波108を照射することで有機物の分解などを行い,誘電体薄膜109を形成する。上記基板を断熱容器内に格納することで生産性を向上することができる上,塵(ダスト)の基板表面への付着を低減することができる。また,電磁波を照射する装置への出し入れだけなので,摺動部による発塵の個所も少なくすることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

誘電体膜もしくは金属を要素として含む薄膜形成方法であって, 基板上の少なくとも一部に誘電体と有機物とを含むペーストあるいは金属と有機物とを含むペーストを形成する工程(a)と, 上記工程(a)の後で,上記ペーストの上方から,1GHz以上で100GHz以下の範囲にある電磁波を照射する工程(b)と を含む薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L21/316 ,  H01L21/288

FI (2)：

H01L21/316 B ,  H01L21/288 Z

F-Term (20)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD51 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01