容量素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000043
Publication number (International publication number)：1993211286
Application date： Jan. 06, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】占有面積が小さく、高集積化に適用した容量素子の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1に、最上層にバリアメタルを有する第1の電極5を形成する。次でプロブスカイト系酸化膜誘電体又はTa2 O3 より成る誘電体膜7を形成する。次にこの誘電体膜上に層間膜8を成長し誘電体膜7の上部を開口する。次に最下層にバリアメタルを有する第2の電極9を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも1種類の配線材料より成り最上層がバリアメタル膜である第1の電極を形成する工程と、この第1の電極上に誘電体膜を選択的に形成する工程と、この誘電体膜を含む全面に絶縁膜を成長したのちパターニングし前記誘電体膜の上部を開口する工程と、露出した前記誘電体膜上に少なくとも1種類の配線材料から成り最下層がバリアメタル膜である第2の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする容量素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-212970
特開平3-212970
強誘電体を備えた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-171123 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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