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J-GLOBAL ID：200903027013873918

半導体装置

Inventor： 安陪 光紀 ,  東口 裕 ,  緒方 絹子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991209677
Publication number (International publication number)：1993055398
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置に係わり、特に半導体チップの放熱構造に関し、高密度実装化,信号の高速化が推進され、且つ半導体チップの放熱性が良好な半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 回路基板1は、セラミック基板2と、セラミック基板2の表面に低誘電率樹脂層31と導体パターン32とを交互に形成した多層樹脂基板3とで構成され、中央角形部8Aの周辺を枠形に取り囲む短冊形の窓8Bを有する角形の熱伝導板用パッド8と、窓8B内に配列したアウタリードボンディング用のパッド7とが、多層樹脂基板3の表面に形成され、熱伝導板用パッド8の窓8Bに対応する個所に短冊形の窓41を有する角形の熱伝導板40が、熱伝導板用パッド8上に貼着され、熱伝導板40の中央角形部40A 上に半導体チップ5がダイボンディングされ、周辺部に枠形の放熱体50が搭載された構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体チップ(5) をフェースアップに搭載する回路基板(1)は、セラミック基板(2) と、該セラミック基板(2)の表面に低誘電率樹脂層(31)と導体パターン(32)とを交互に形成した多層樹脂基板(3) とで構成され、中央角形部(8A)の周辺を枠形に取り囲む短冊形の窓(8B)を有する角形の熱伝導板用パッド(8) と、該窓(8B)内に配列したアウタリードボンディング用のパッド(7) とが、該多層樹脂基板(3) の表面に形成され、該熱伝導板用パッド(8) の窓(8B)に対応した個所に短冊形の窓(41)を有する角形の熱伝導板(40)が、該熱伝導板用パッド(8) 上に貼着され、該熱伝導板(40)の中央角形部(40A) 上に半導体チップ(5) がダイボンディングされ、周辺部に枠形の放熱体(50)が搭載されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/40

FI (2)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 D