半導体装置、及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995178644
Publication number (International publication number)：1996279562
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の熱抵抗が小さくかつ均一で、各素子間の熱的分離が充分であり、簡易な工程で製造が可能な半導体装置を得る。【解決手段】複数のHBT素子から構成されるHBTにおいて、各素子に隣接してバイアホール25を設け、各素子のエミッタ電極21とバイアホール25をエアブリッジ24で接続することにより、素子で発生した熱を上記エアブリッジ、バイアホールを介して半導体基板裏面に設けられたPHS27に放熱する。【効果】各素子に隣接してバイアホールが設けられ、エアブリッジが短いため、素子の熱抵抗が小さくかつ均一となり、エミッタインダクタンスも低減され、素子間の熱的分離が充分になされる。エアブリッジとバイアホール金属は同時に形成されるため、製造工程も簡易なものとなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面上に形成された半導体素子と、前記主表面に対する前記半導体基板の裏面に接して形成された前記半導体素子で発生する熱を放熱するための金属層であるPHSと、前記半導体基板の前記主表面と前記裏面の間に貫通孔が設けられ、該貫通孔の内側に前記PHSに接続される金属体が設けられてなるバイアホールと、そのある部分が前記半導体素子の特定の電極に接続される金属膜からなる第1の配線とを備えており、該第1の配線の他の部分は前記バイアホールの金属体と接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8222 , H01L 27/082 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 27/08 101 B , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開平3-278539
特開平4-311069
特開平4-372171

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