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J-GLOBAL ID：200903027017042921

光導波路型光素子

Inventor： 染野 義博
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103665
Publication number (International publication number)：1994289348
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 近紫外線領域の短波長光に対して良好な透光性が得られ、光損傷の影響を受けにくく、良好な温度特性が得られる光導波路型光素子を得る。【構成】 光導波路型光素子1は、シリコン(Si),サファイア(α-アルミナ)などの基板2と、基板2上に適宜形状に形成されたエピタキシャルAlNによる光導波路3と、基板2上および光導波路3上に形成されたAl-O-NまたはSi-Al-O-Nのバッファ層4と、このバッファ層4上に形成された電極5とから構成されている。エピタキシャル窒化アルミニウム(AlN)は光学バンドギャップが広く、近紫外線領域の短波長光に対しても良好な透光性が得られる。またAlNは光損傷の影響を受けにくく、また温度特性も良好である。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上にエピタキシャル窒化アルミニウム(AlN)薄膜により任意形状に形成された光導波路と、この光導波路表面に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された電極とを有し、この電極に電圧を印加したときの前記窒化アルミニウムの電気光学効果により前記光導波路の屈折率の制御を行うことを特徴とするとする光導波路型光素子。

IPC (3)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/313