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J-GLOBAL ID：200903027022753372

位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor： 安里 直生
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992205807
Publication number (International publication number)：1994051492
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 位相シフトマスク表面の凹凸を、異なる透明膜により埋め、その表面をフラットにすることにより、マスク清浄工程等における位相シフトマスクの破損を防止する。【構成】 透明基板1上の遮光膜2には、2つの開口9a、9bが形成され、その一方の開口9a上には第1の透明膜3が形成されている。そして、第2の透明膜4は第1の透明膜3による凹凸を埋め、マスク表面をフラットにするように形成されている。なお、第1の透明膜3の膜厚tは、t=λ/2(n1-n2)(但し、λは露光光の波長、n1及びn2は夫々第1の透明膜3及び第2の透明膜4の屈折率)となるように設定されており、開口9a、9bを透過する光に180度の位相差を与える。

Claim (excerpt)：

透明基板上に第1の透明膜及び第2の透明膜が形成された位相シフトマスクにおいて、λを露光光の波長、n1を前記第1の透明膜の屈折率、n2を前記第2の透明膜の屈折率とした場合に、前記第1の透明膜の膜厚tがt=λ/2|n1-n2|で表され、前記第2の透明膜の膜厚が前記透明基板上の前記第1の透明膜が形成されていない部分において前記第1の透明膜と同一又はそれ以上であることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W