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J-GLOBAL ID：200903027027842721
半導体製造用サセプター
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068104
Publication number (International publication number)：1994279974
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 導電体と緻密質の絶縁製セラミックス基材とを有する半導体製造用サセプターにおいて、このセラミックス基材からの導電体の露出部分からの放電,腐食,汚染を防止することである。【構成】 セラミックス基材1からの導電体2の露出部分が、絶縁性の溶射膜9によって被覆されている。溶射膜9を熱処理することもできる。導電体2が膜状電極2である場合には、膜状電極2の周縁部をエッチング等により除去加工し、凹部8を設けることもできる。本発明は、静電チャックの膜状電極2,セラミックスヒーターの端子部分等に対して適用できる。
Claim (excerpt)：
導電体と緻密質の絶縁性セラミックス基材とを有する半導体製造用サセプターであって、前記セラミックス基材からの前記導電体の露出部分が絶縁性の溶射膜によって被覆されていることを特徴とする半導体製造用サセプター。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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