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J-GLOBAL ID：200903027029113514

高密度柱状ZnO結晶膜体とその製造方法

Inventor： 平野 晋吾 ,  桑原 誠
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (1)： 森竹 義昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003355400
Publication number (International publication number)：2004315342
Application date： Oct. 15, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】 基板表面に水溶液析出法によりZnO結晶を析出させようとすると、高密度で配向性良く生成させることは困難で、一定の品質が求められるデバイス設計に用いることはコンであった。本発明は、デバイス設計に応じられるZnO結晶膜を、生成させようというものである。すなわち、基板の90%以上の面積に、c軸が垂直に均一に配向し、緻密な微細構造有する高密度柱状結晶膜を、亜鉛イオンを含む水性溶液から簡単に生成し、提供しようというものである。【解決手段】 亜鉛イオンを含む水溶液中の亜鉛イオン濃度を、基板を浸漬したとき高密度柱状ZnO結晶膜体が得られる濃度範囲、0.07〜0.3mol/lの範囲に調製し、この水溶液に基板を浸漬し、高密度柱状結晶膜を生成させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

亜鉛イオンを含有する水溶液に基板を浸漬することによって基板上に得られ、c軸が基板に対して垂直に配向し、緻密な微細構造を有して生成されてなることを特徴とする高密度柱状ZnO結晶膜体。

IPC (3)：

C30B29/16 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

FI (3)：

C30B29/16 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

F-Term (12)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077BB07 ,  4G077CB02 ,  4G077CB04 ,  4G077EA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA11