Pat
J-GLOBAL ID：200903027030895097
磁気抵抗効果素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998013076
Publication number (International publication number)：1999213355
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 MRヘッド等の再生部に用いられる磁気抵抗効果素子おいて、より大きな抵抗変化率を得ることにより、高感度、高出力化を可能とする。【解決手段】 第1の強磁性膜22(自由層)を強磁性膜23と非磁性膜24の積層構造とし、かつ前記強磁性膜23の磁化方向が相互作用により反強磁性整列の状態となるように構成した。
Claim (excerpt)：
基板上に第1の強磁性膜、非磁性中間膜、第2の強磁性膜、反強磁性膜が順に成膜された積層膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、前記第1の強磁性膜が強磁性膜と非磁性膜の積層構造を持ち、かつ前記強磁性膜の磁化方向が相互作用により反強磁性整列していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
