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J-GLOBAL ID：200903027035275143

電界効果トランジスタ

Inventor： 杉山 直治 ,  手塚 勉 ,  高木 信一 ,  松澤 一也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002097049
Publication number (International publication number)：2003298063
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ショートチャネル効果を抑制しかつ駆動力を向上させることのできる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 対向する一対のチャネル面を有するチャネル領域2と、チャネル面上にそれぞれ形成された一対のゲート電極(3,4)と、離間して形成され、チャネル領域2を挟む位置に配置されたソース領域5及びドレイン領域6とを具備し、一対のゲート電極(3,4)の間隔が、ソース領域5側の方がドレイン領域6側よりも大きい電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

ソース領域及びドレイン領域を有し、そのソース領域及びドレイン領域間に、相対する主面を有する基体と、前記主面に設けられた一対のゲート電極と具備し、前記一対のゲート電極の間隔が、前記ソース領域側において前記ドレイン領域側よりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092

FI (8)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/08 321 E

F-Term (39)：

5F048AA00 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BD01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK32 ,  5F110HK39 ,  5F110HM15