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J-GLOBAL ID：200903027045416411

処理装置

Inventor： 今橋 一成
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235357
Publication number (International publication number)：1994204147
Application date： Aug. 28, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 複数の処理工程間の処理ガスが互いに干渉することがなく、成膜に際しては極めて薄い膜を短時間で複数層を積層して膜質に優れた薄膜を形成することができ、また、エッチングに際してはエッチングによって生成した不要ガスを効率的に排出して精度の高いエッチングを行なうことができる処理装置を提供することができる。【構成】 本処理装置は、真空状態を形成し得る円筒状の反応容器1内の上部空間がその中心軸部から放射状に延設された隔壁2によって分割形成された複数の処理室3と、これらの各処理室3を形成する上記各隔壁2の下端に対して細隙δを介して回転可能に配設され且つ半導体ウエハWを5枚載置する円形状の載置台4とを備え、上記複数の処理室3の2室を構成する、第1プロセス室31及び第2プロセス室32に所定のガスを導入し、このガスで上記半導体ウエハWを成膜処理するように構成されている。

Claim (excerpt)：

真空状態を形成し得る円筒状の反応容器内をその中心軸の周囲で複数の隔壁によって分割して形成された複数の処理室と、これらの各処理室を形成する上記各隔壁の下端に対して細隙を介して回転可能に配設され且つ被処理体を複数載置する円形状の載置台とを備え、上記複数の処理室の少なくとも一つの処理室に所定のガスを導入し、このガスで上記被処理体を処理することを特徴とする処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-226917
  
• 特開昭63-292620
  
• 特開昭61-136234