基体上に形成されたチタニア系結晶体からなるナノ構造体及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002295668
Publication number (International publication number)：2004130171
Application date： Oct. 09, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】基体上へのアナターゼ型チタニア系ナノ構造体の構築とその配列化により、比表面積が増大し、また、例えば、開放表面孔を持つ中空型ナノ構造体を形成し、特に、光触媒活性の高効率化を図ること。【構成】基体上に形成された多孔質陽極酸化皮膜の規則化配列した細孔中に充填され、該細孔底部のアンカー効果を発現する微細凹凸構造を有する導電層上に直接接合している光触媒特性を有するアナターゼ型チタニア系結晶体からなるナノ構造体を、チタニアゾル中に(1)粘度を低下させる酸化物ゾル、(2)300〜400°Cの低温加熱でガラス化する酸化物ゾル、(3)可視光吸収特性を有する酸化物ゾル、(4)Ti-Oの結合のバンドギャップを狭める物質、からなる群から選ばれる少なくとも1種を添加したチタニアゾルを充填し、そのゲル化及び結晶化により形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基体上に形成された多孔質陽極酸化皮膜の規則化配列した細孔中に充填され、該細孔底部のアンカー効果を発現する微細凹凸構造を有する導電層上に直接接合しているチタニア系結晶体からなるナノ構造体であって、該結晶体がチタニアゾル中に粘度を低下させる酸化物ゾル、300〜400°Cの低温加熱でガラス化する酸化物ゾル、可視光吸収特性を有する酸化物ゾル、Ti-Oの結合のバンドギャップを狭める物質、からなる群から選ばれる少なくとも1種を添加したチタニアゾルのゲル化及び結晶化により形成された光触媒特性を有するアナターゼ型チタニアを主成分とする結晶体であることを特徴とする基体上に形成されたチタニア系結晶体からなるナノ構造体。

IPC (6)：

B01J27/057 , B01J23/46 , B01J35/02 , B01J37/02 , C01G23/04 , D01F9/08

FI (6)：

B01J27/057 M , B01J23/46 301M , B01J35/02 J , B01J37/02 301D , C01G23/04 B , D01F9/08 Z

F-Term (54)：

4G047CA02 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD04 , 4G047CD07 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA01A , 4G069BA02A , 4G069BA02B , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA05A , 4G069BA14A , 4G069BA14B , 4G069BA37 , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BC02A , 4G069BC04A , 4G069BC10A , 4G069BC12A , 4G069BC13A , 4G069BC21A , 4G069BC22A , 4G069BC35A , 4G069BC42A , 4G069BC55A , 4G069BC56A , 4G069BC60A , 4G069BC70B , 4G069BD10A , 4G069BD10B , 4G069CA10 , 4G069CA17 , 4G069EB03 , 4G069EC22X , 4G069EC22Y , 4G069ED03 , 4G069EE01 , 4G069FA03 , 4G069FB08 , 4G069FB23 , 4G069FB42 , 4G069FB48 , 4G069FC07 , 4G069FC08 , 4L037AT01 , 4L037CS36 , 4L037FA02 , 4L037FA20 , 4L037PA41 , 4L037PS12 , 4L037UA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

光触媒活性を有する金属材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004821 Applicant：株式会社竹中工務店, 株式会社神戸製鋼所
光触媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-018551 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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