基板処理方法及びその装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029710
Publication number (International publication number)：1999233406
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】気泡発生の問題と被処理基板面内の位置により処理時間が異なる問題とを解決することで基板の処理精度向上及び欠陥の低減に寄与し、高い歩留まりを達成することができる基板処理方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】枚葉式の基板処理技術において、ノズル7に被処理領域2相当のノズル吐出口配設面9を持たせ、この領域に表面張力を利用して処理液膜3を形成し、しかる後に被処理領域2の表面に上方から接触させる。また、被処理領域2の表面とノズル吐出口配設面9の表面との相対間隔を連続的に変化させた状態で被処理領域2に処理液を供給する。また、ノズル孔8付近を負圧にすることにより、被処理領域2に処理液を供給する。

Claim (excerpt)：

被処理基板の上方にノズルを対向させ、前記ノズルのノズル孔から処理液を前記被処理基板の所望の被処理領域に供給して液処理を行う基板処理方法において、前記ノズルは、複数のノズル孔とその吐出口であるノズル吐出口を有し、そのノズル吐出口を配設面に配設しており、前記ノズルの表面に前記処理液を供給し、且つ表面張力により前記処理液の処理液膜を形成する処理液膜形成工程と、前記処理液膜形成工程後、前記被処理領域の表面に前記処理液膜を接触させて処理を施す基板処理工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , B05C 11/08 , G03F 7/30 502 , H01L 21/304 643 , H01L 21/306

FI (6)：

H01L 21/30 569 F , B05C 11/08 , G03F 7/30 502 , H01L 21/304 643 C , H01L 21/30 569 C , H01L 21/306 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

処理方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-139364 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開昭63-211627
現像方法及びウエハ揺動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036520 Applicant：ソニー株式会社

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