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J-GLOBAL ID：200903027056641131

薄膜半導体装置

Inventor： 竹中 敏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018946
Publication number (International publication number)：1993218368
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 固相成長法の利点を最大限に利用して、結晶性の優れたシリコン薄膜を作成し、オフ電流の少ない薄膜トランジスタを実現する。【構成】 不純物特に炭素の含有量が1×1018cm-3以下の非晶質シリコン薄膜を固相成長させることにより薄膜トランジスタを作成する。【効果】 炭素等の不純物を含まないため、シリコン薄膜の結晶性がきわめて良好になる。その結果、オフ電流の極めて少ない薄膜トランジスタが実現される。

Claim (excerpt)：

炭素の含有量が1×1018cm-3以下の非晶質半導体薄膜を固相成長させて形成した半導体層を能動領域として具備することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-246973
  
• 特開平3-006865
  
• 特開平2-295111
  
• 特開平2-125430
  
• 特開平1-298180