Pat

J-GLOBAL ID：200903027058188337

酸化物超電導体

Inventor： 福島 公親
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103896
Publication number (International publication number)：1994135718
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】臨界電流密度を向上させ、その実用化の促進を図った酸化物超電導体の提供を目的とする。【構成】 酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅の一部を添加した遷移元素で置換して非超電導相ないし絶縁相を析出2b、クラスター2aもしくは点状に形成させて成ることを特徴とし、さらには、酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅および酸素の一部を添加した遷移元素と、ハロゲン元素窒素,燐,砒素,アンチモン,硫黄,セレン,テルル,ポロニウムの群れから選ばれた少なくとも1種の元素とでそれぞれで置換して非超電導相ないし絶縁相を析出2b、クラスター2aもしくは点状に形成させて成ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅の一部を添加した遷移元素の群れから選ばれた少なくとも1種で置換して非超電導相ないし絶縁相を析出,クラスターもしくは点状に形成させて成ることを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (3)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA