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J-GLOBAL ID：200903027066333311

アルフア粒子低減装置及びアルフア粒子低減方法

Inventor： デユレセテイ・チダムバラオ ,  フイリツプ・クライド・マーレイ ,  ラルフ・ヘンク・ニジユイス ,  ゴードン・ジエイ・ロビンズ ,  グルマコンダ・ラマサミエンガー・スリニバサン ,  テイモシー・ロートン・ウオルターズ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992322809
Publication number (International publication number)：1993235000
Application date： Nov. 06, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体デバイスの活性領域を半導体チツプそれ自体から発生されるアルフア放射線から保護すること。【構成】本発明は石英又はポリイミド絶縁体のような周知のアルフア粒子障壁205の減衰効果及び銅でなるスタツドのような導電性スタツド206(これもアルフア粒子を吸収する)を利用して、アルフア粒子源(例えばPb/SnのC4パツド)207及び集積回路の活性領域203が配設されたシリコン表面202間の垂直距離を増大させるアルフア粒子障壁205(電気的絶縁材料及び導電材料から製造された)を提供する。本発明の1つの特徴によると、この距離を十分大きくすると共に、コンタクトパツド207(半導体モジユール内におけるアルフア放射線の主要なアルフア放射線源)及び半導体デバイス203間に新規のアルフア粒子吸収材料205を挿入すると、半導体デバイス203に対して大きな影響を与えるアルフア粒子から免れることができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのアルフア粒子源及び少なくとも1つの半導体デバイスを含む半導体モジユール内にソフトエラーを生じさせるアルフア粒子に対する半導体デバイスの感受性を低減する装置において、上記少なくとも1つのアルフア粒子源は上記半導体デバイスの金属層と電気的にコンタクトする少なくとも1つのコンタクトパツドを含み、上記装置は、上記少なくとも1つのアルフア粒子源及び上記半導体デバイスの少なくとも1つの活性領域間にアルフア粒子障壁を設ける絶縁手段と、上記アルフア粒子障壁の一方の側に配設された上記少なくとも1つのコンタクトパツド及び上記アルフア粒子障壁の他方の側に配設された上記半導体デバイスの上記金属層間にアルフア粒子を吸収する導電性経路を設ける手段とを具えることを特徴とするアルフア粒子低減装置。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-001257
  
• 特開平1-286448