半導体不揮発性メモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995010950
Publication number (International publication number)：1996204159
Application date： Jan. 26, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体不揮発性メモリ装置において、その構成の複雑化したがって製造工程数の増加を来すことなく、上述したビット線B/L間の干渉雑音の問題を解消でき、更にソース線の寄生抵抗の低減化もはかることができて、読み出し速度の改善をはかることができるようにする。【構成】メモリトランジスタTrが形成された半導体基板上にビット線B/Lとソース線S/Lとを構成する各導電層11および12が、ワード線W/Lと交叉する方向例えば垂直方向に交互に並走するように配置された構成とする。

Claim (excerpt)：

メモリトランジスタが形成された半導体基板上にそれぞれ積層して形成された導電層によるビット線とソース線とが、ワード線と交叉する方向に、交互に並走するように配置されてなることを特徴とする半導体不揮発性メモリ装置。

IPC (5)：

H01L 27/115 , H01L 27/10 471 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-141675
特開平2-028381
特開平3-185860

Show all

Return to Previous Page