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J-GLOBAL ID:200903027089258937

炭化ケイ素およびシリコンの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岸田 正行 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998198434
Publication number (International publication number):2000034116
Application date: Jul. 14, 1998
Publication date: Feb. 02, 2000
Summary:
【要約】【課題】 投入エネルギーが少なく効率的で,資源の有効利用ができる炭化ケイ素およびシリコンの製造法を提供する。【解決手段】 スラグを硫酸と反応させて石膏を生成させ,析出した石膏を固液分離し,分離された液に有機化合物を溶解し,次いで酸濃度を高めて非晶質ケイ素化合物を析出させ,これを固液分離し,得られた非晶質ケイ素化合物を不活性雰囲気下で加熱することを特徴とする炭化ケイ素およびシリコンの製造方法である。
Claim (excerpt):
スラグを硫酸と反応させて石膏を生成させ,析出した石膏を固液分離し,分離された液に有機化合物を溶解し,次いで酸濃度を高めて非晶質ケイ素化合物を析出させ,これを固液分離し,得られた非晶質ケイ素化合物を不活性雰囲気下で加熱することを特徴とする炭化ケイ素およびシリコンの製造方法。
IPC (2):
C01B 31/36 ,  C01B 33/021
FI (2):
C01B 31/36 A ,  C01B 33/021
F-Term (7):
4G046MA14 ,  4G046MC04 ,  4G072AA01 ,  4G072HH38 ,  4G072JJ15 ,  4G072MM36 ,  4G072UU01

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