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J-GLOBAL ID：200903027099366436

発光素子

Inventor： 横川 俊哉 ,  山田 美保
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189077
Publication number (International publication number)：1994037356
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発光素子に関するもので、p型層に対する接触抵抗を軽減することで、高い発光効率のp-n接合型青色LEDまたは青色LDを提供する。【構成】 n伝導型を有したZnSe結晶11上に、CdZnSeとZnSeまたはZnSSeを交互に積層した構造12を有する。前記CdZnSeとZnSeまたはZnSSeを交互に積層した構造12上に、p伝導型を有したZnSe13を有する。前記p伝導型を有したZnSe13上にp伝導型を有したZnTe14を有する。前記p伝導型を有したZnTe14に正電極、前記n伝導型を有したZnSe結晶11に負電極を備えている。

Claim (excerpt)：

n伝導型を有したZnSeまたはZnSSe結晶上に、CdZnSeとZnSeまたはZnSSeを交互に積層した構造を有し、前記CdZnSeとZnSeまたはZnSSeを交互に積層した構造上に、p伝導型を有したZnSeまたはZnSSeを有し、前記p伝導型を有したZnSeまたはZnSSe上にp伝導型を有したZnTeを有し、前記p伝導型を有したZnTeに正電極、前記n伝導型を有したZnSe結晶に負電極を備えたことを特徴とする発光素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18