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J-GLOBAL ID：200903027100937957

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 大坪 孝二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242275
Publication number (International publication number)：1999087837
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、エッジ・エミッション型或いは面発光型の半導体レーザに酸化物電流狭窄層を作り込むに際し、酸化の深さ、従って、電流注入領域の幅や直径を正確に再現性よく確保できるようにする。【解決手段】 p-AlAs酸化容易層26を含んで積層形成された化合物半導体層、例えばn側クラッド層22、SCH層23、歪み量子井戸活性層24、SCH層25、p-AlAs酸化容易層26、p側クラッド層27、コンタクト層28などに於けるストライプ電流注入領域26Aの両側に沿って延在するように導入されたGa或いはInなどの三族不純物からなる酸化抑止領域29と、p-AlAs酸化容易層26の外縁からストライプ電流注入領域26Aに向かって延在し且つ前記酸化抑止領域29で終端されてストライプ電流注入領域26Aを画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域26Bとを備える。

Claim (excerpt)：

半導体酸化容易層を含んで積層形成された化合物半導体層に於けるストライプ電流注入領域の両側に沿って延在するように導入された三族不純物からなる酸化抑止領域と、前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備えてなることを特徴とするエッジ・エミッション型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体デバイスの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-014477   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー