Pat
J-GLOBAL ID:200903027102742061
半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 稔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994189566
Publication number (International publication number):1996056018
Application date: Aug. 11, 1994
Publication date: Feb. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 単一の半導体発光素子1から青、緑、赤色の光が発せられるようにして、集合光として白色の光を得るための調整作業の簡易化を図り、かつ不良品の発生に伴うコスト面での不利益を低減させる。【構成】 サファイア基板2の表面上に、N型半導体層3、発光層4、およびP型半導体層5から構成される積層部6を形成するとともに、少なくとも上記基板2の表面と直交する方向に向かって上記発光層4から光が発せられるように構成された半導体発光素子1において、上記積層部6を、基板2の表面と平行な面内において複数の領域A1、A2、A3に区分し、この複数の領域の各発光層から発せられる光の波長が各領域相互間で異なるように、その領域の別異に応じて少なくとも一層について異種の結晶層を成長させる。
Claim (excerpt):
基板の表面上に、N型半導体層、発光層、およびP型半導体層から構成される積層部を形成するとともに、少なくとも上記基板の表面と直交する方向に向かって上記発光層から光が発せられるように構成された半導体発光素子において、上記積層部を、基板の表面と平行な面内において複数の領域に区分し、この複数の領域の各発光層から発せられる光の波長が各領域相互間で異なるように、その領域の別異に応じて少なくとも一層について異種の結晶層を成長させたことを特徴とする、半導体発光素子。
Return to Previous Page