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J-GLOBAL ID：200903027112552570

スパッタ成膜方法

Inventor： 山上 敦士 ,  高木 智 ,  岡村 信行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124233
Publication number (International publication number)：1994330305
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、良い膜質の堆積膜を形成し、高品質な化合物薄膜を形成するとともに反応性スパッタの反応性を向上したスパッタ成膜方法を提供することにある。【構成】 本発明のスパッタ成膜方法は、対向ターゲット式スパッタ成膜方法において、ターゲットにスパッタ電力として30〜300MHzの高周波電力及び直流電力を供給することを特徴とする。また、上記方法においてスパッタガスに酸素、窒素、炭化水素などの反応性ガスを混入して反応性スパッタにより基板上に化合物薄膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

対面させたターゲットの側方に基板を配置し、ターゲット間に磁界をその対向方向に印加してスパッタし、基板上に薄膜を形成する対向ターゲット式スパッタ成膜方法において、ターゲットにスパッタ電力として30〜300MHzの高周波電力及び直流電力を供給することを特徴とするスパッタ成膜方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-157511
  
• 特開昭57-157511
  
• 特開昭63-140077
  
• 特開昭63-140077