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J-GLOBAL ID：200903027124230706
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090219
Publication number (International publication number)：1994302817
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 縦型超薄膜トランジスタとした際に、上端部のチャネル部の電界強度を改善し、良好なトランジスタのスイッチング特性が得られる半導体装置を提供する【構成】 基板10の上部には突出部20が形成されており、この突出部20の両側には、ドレイン領域22、ソース領域24が形成されて、このドレイン領域22、ソース領域24に挟まれた領域にチャネル領域26が形成されている。また、基板10および突出部20の表面はすべてSiO2 で形成される酸化膜30によって覆われており、チャネル領域26の表面にはゲート電極32が形成されている。更に、突出部20のチャネル領域26の上端部にはp+ 型の導電層36が形成されている。このため、チャネル領域26の上端部はチャネルとして動作せず、その上方のゲート電圧の影響を弱められる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に素子領域を突出形成し、ここにソース領域と、ドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間にチャネル領域と、を設け、そのチャネル領域に絶縁体膜を介して電界を印加するゲート電極を設けた電界トランジスタを有する半導体装置であって、前記チャネル領域の上端部は、その下方部に比べ不純物濃度が濃いことを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 V
