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J-GLOBAL ID：200903027130257381
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995092885
Publication number (International publication number)：1996288817
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 誘導性負荷を高速遮断し、高い電圧のバッテリにも使用可能なハイサイドスイッチ用半導体装置を提供する。【構成】 誘導性負荷40を駆動するハイサイドスイッチとして使用するパワーMOSFET1を遮断するために、第1グランドライン34に接続されたMOSFET2と第2グランド(出力端子33)に接続されたMOSFET3とを用いる。MOSFET3の駆動には、MOSFET4を用いる。出力端子33の電圧をグランド端子30から十分負電位に下げられる構成とすることにより、誘導性負荷を高速遮断させる。また、制御用MOSFET2,3,4として高耐圧素子を用いることにより高いバッテリ電圧への適用を可能にする。
Claim (excerpt)：
ドレインが電源端子に接続されると共にソースが出力端子に接続されたパワーMOSFETと、パワーMOSFETのゲートと制御回路用グランドとの間に配置されて入力端子の電圧に基づいてパワーMOSFETをオフする第1のMOSFETと、パワーMOSFETのゲートと前記出力端子との間に配置されて前記入力端子の電圧に基づいてパワーMOSFETをオフする第2のMOSFETと、パワーMOSFETのゲートに接続されて前記入力端子の電圧に基づいてパワーMOSFETをオンするゲート充電回路と、から少なくとも構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H03K 17/695
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
, H03K 17/04
, H03K 17/06
, H03K 19/0175
H03K 17/687 B
, H03K 17/04 E
, H03K 17/06 C
, H01L 27/08 102 J
, H01L 29/78 656 B
, H03K 19/00 101 F
