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J-GLOBAL ID：200903027133288652

コンタクト構造の製造方法

Inventor： 深尾 哲宏 ,  楠見 嘉宏 ,  宮武 浩 ,  藤原 伸夫 ,  坂森 重則 ,  飯田 里志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998032925
Publication number (International publication number)：1999233628
Application date： Feb. 16, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ボーダレス構造の配線において、導電体と配線との接触部分の浸食を防止する半導体集積回路及びその製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 配線埋め込み用穴が設けられた層間絶縁膜300を形成し、配線埋め込み用穴に導電体400を埋め込む。次に、層間絶縁膜300上に配線埋め込み用穴を覆う配線層500を形成し、レジスト540をマスクとして、配線層500をボーダレス構造にする。バリアメタル層510は、導電体400と配線層500との接触面における浸食を抑制する。

Claim (excerpt)：

(a) 配線埋め込み用穴が設けられた絶縁膜を形成するステップと、(b) 前記配線埋め込み用穴に埋め込まれた導電体を形成するステップと、(c) 前記絶縁膜上に前記配線埋め込み用穴を覆う配線層を形成するステップと、(d) エッチングを用いることによって、前記配線層は前記配線埋め込み用穴の一部を覆わないように整形するステップと、を備え、前記導電体と前記配線層との接触面には前記配線層の浸食を抑制するための浸食抑制体が形成されるコンタクト構造の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M