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J-GLOBAL ID：200903027134441810

プローブ装置

Inventor： 山下 知
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244157
Publication number (International publication number)：1994066834
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プローブ針の比抵抗を下げて安定した測定条件を設定できるプローブ装置を得ることにある。【構成】 プローブ装置10は、半導体素子の被接触部にプローブ針20を圧接して電気的接続を行う。このプローブ針20は、金(Au)および銅(Cu)を、金(Au)74〜76重量%、銅(Cu)24〜26重量%の割合で含む合金、換言すれば原子数比においてほぼAu:Cu=1:1の割合で含む合金を用いる。さらに、この合金を350 °Cから徐々に冷却したものをプローブ針20として用いる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の被接触部に圧接して電気的接続を行うプローブ針を備えたプローブ装置において、前記プローブ針は、金(Au)を74〜76重量%、銅(Cu)を24〜26重量%の割合で含む合金からなり、この合金は加熱後に徐冷されることで規則格子が構成されていることを特徴とするプローブ装置。

IPC (2)：

G01R 1/073 ,  H01L 21/66