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J-GLOBAL ID：200903027139827512
電源装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315049
Publication number (International publication number)：1998164837
Application date： Nov. 26, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：
【要約】【課題】 2次側整流にMOS-FETを用いて損失を大幅に減少させる。【解決手段】 AC入力を整流したDC100の+端がスイッチングトランジスタ1、2のコレクタ・エミッタ間を通じて-端に接続され、中点が過飽和リアクタトランス3のコイル3A、共振コンデンサ4を通じて電圧変換トランス5の1次側コイル5Aの一端に接続される。また電圧変換トランス5の2次側コイル5Bの一端及び他端が、それぞれNチャンネルのMOS-FET19、20のソース・ドレイン間を通じて互いに接続され、この接続点と2次側コイル5Bの中間タップとの間に平滑用のコンデンサ21が接続される。さらにMOS-FET19、20はそれぞれ駆動回路24、25によってオンオフが制御され、例えば図示の例ではコンデンサ21側からコイル5Bに向かって電流が流れている期間にのみオンされるように同期制御される。
Claim (excerpt)：
スイッチング素子を2石用いたハーフブリッジ構成を有し、上記2石のスイッチング素子の中点に共振コンデンサと電圧変換用トランスが設けられると共に、上記電圧変換用トランスの2次側整流としてMOS-FETを用いて同期整流を行うことを特徴とする電源装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H02M 3/28 F
, H02M 3/28 Q
, H02M 3/335 F
