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J-GLOBAL ID：200903027164121438

半導体レーザ

Inventor： 奥山 浩之 ,  秋本 克洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991174122
Publication number (International publication number)：1993021893
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 GaAs基体を用いて短波長発光レーザを構成する。【構成】 GaAs基体1上にエピキタキシャルクラッド層2,3と活性層4とを形成し、そのクラッド層2,3をMgZnCdS系II-VI属化合物半導体によって構成する。

Claim (excerpt)：

GaAs基体上に、少なくともクラッド層と、活性層とがエピキタキシャル成長されて成り、少なくとも上記クラッド層がMg<SB>x </SB>Zn<SB>y </SB>Cd<SB>1-x-y </SB>S系II-VI族化合物半導体より成り、x,y(それぞれ原子比)が、0<x≦0.900.50≧y>0に選定されたことを特徴とする半導体レーザ。