Pat
J-GLOBAL ID：200903027171297932
薄膜多層配線基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991296970
Publication number (International publication number)：1993136567
Application date： Nov. 13, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高機能な MCM( マルチチップモジュール)の構成に適する薄膜多層配線基板の提供を目的とする。【構成】 グランド層/電源層5a、5a′、5b、5b′を含む薄膜配線層と絶縁層3a, 3b...とを交互に積層し、かつ薄膜配線層間が絶縁層 3a,3bを貫通して選択的に接続7a,7b,7cされて成る薄膜多層配線基板において、少なくとも2つのグランド層/電源層5a、5a′、5b、5b′が互いに絶縁離隔して同一層にたとえば櫛の歯が噛み合うような形状に配設されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
グランド層/電源層および信号配線層を含む薄膜配線層と絶縁層とを交互に積層し、かつ薄膜配線層間が絶縁層を貫通して選択的に接続されて成る薄膜多層配線基板において、少なくとも2つのグランド層、電源層が互いに絶縁離隔して同一層に配設されていることを特徴とする薄膜多層配線基板。
IPC (2)：
Return to Previous Page
