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J-GLOBAL ID：200903027177440141

窒化物半導体基板、及びその成長方法

Inventor： 成田 准也 ,  三木 照仁
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002142783
Publication number (International publication number)：2003037066
Application date： May. 17, 2002
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板上に窒化物半導体を成長させ、転位欠陥を低減させた窒化物半導体基板を得ることを目的とする。【解決手段】基板上に第1の窒化物半導体層、その上に開口部を有する保護膜を成長させる。次に、開口部より窒化物半導体核を成長させると同時に保護膜下の窒化物半導体を熱分解させる。その後、保護膜を除去し、前記窒化物半導体核を成長起点として第2の窒化物半導体層を成長させ窒化物半導体基板を得る。さらに、前記窒化物半導体核は、断面形状が逆台形であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体層を成長させた窒化物半導体基板であって、前記窒化物半導体層は、基板上に第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層上に開口部を有する窒化物半導体核を有し、該窒化物半導体核より成長した第2の窒化物半導体層とを有する積層構造をしており、前記第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層との界面である窒化物半導体核の両横側には空洞、又は多結晶領域を有することを特徴とする窒化物半導体基板。

F-Term (14)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12