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J-GLOBAL ID：200903027200821743

高純度炭化珪素質焼結体の製造方法

Inventor： 西本 昭彦 ,  寺園 正喜 ,  立野 周一
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142904
Publication number (International publication number)：1996012437
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【構成】炭化珪素と炭素からなる成形体に対して非酸化性雰囲気中、珪素の融点以上の温度で金属珪素を含浸した後、前記炭素を珪化する反応焼結炭化珪素質焼結体の製造方法であって、上記工程中に1回1600〜2100°C、真空中で不純物を除去するための熱処理工程を含むことを特徴とする高純度炭化珪素質焼結体の製造方法。【効果】不純物の鉄を著しく減少させることができ、半導体製造用治具に適した焼結体が得られる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素と炭素からなる成形体に対して非酸化性雰囲気中、珪素の融点以上の温度で金属珪素を含浸した後、前記炭素を珪化する反応焼結炭化珪素質焼結体の製造方法であって、上記工程中に1600〜2100°C、真空中で不純物を除去するための熱処理工程を含むことを特徴とする高純度炭化珪素質焼結体の製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/573 ,  C04B 35/64

FI (2)：

C04B 35/56 101 V ,  C04B 35/64 A