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J-GLOBAL ID：200903027216730225

半導体ウエハの製造方法、半導体ウエハ、半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

Inventor： 川越 紘人 ,  白須 辰美 ,  清田 省吾 ,  鈴木 範夫 ,  山田 栄一 ,  杉野 雄史 ,  北野 学 ,  桜井 義彦 ,  長沼 孝 ,  荒川 久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994265529
Publication number (International publication number)：1996097163
Application date： Oct. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の性能および信頼性を向上させるとともに、半導体集積回路装置のコストを低減させる。【構成】 所定導電形の不純物を含有する半導体基板本体2Sの主面上に、前記不純物と同一導電形で、かつ、前記不純物の設計上の濃度と同一濃度の不純物を含有するエピタキシャル層2Eを形成した後、そのエピタキシャル層2E上にMOS・FET4N,4Pのゲート絶縁膜4Nc,4Pcを形成する。

Claim (excerpt)：

所定導電形の不純物を含有する半導体基板本体の表面に、前記不純物と同一導電形で、かつ、前記不純物の設計上の濃度と同一濃度の不純物を含有する半導体単結晶層を形成する工程を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭64-065865
  
• 特開昭63-102370
  
• 特開昭60-132358
  
• 特開昭64-065865
  
• 特開昭63-102370
  
• 特開昭60-132358