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J-GLOBAL ID：200903027222093148

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 林 重徳 ,  久保田 正文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000154016
Publication number (International publication number)：2001332534
Application date： May. 25, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理方法において、被加工試料の表面における反応を、高精度且つ再現性良く制御できるようにする。【解決手段】 真空状態に保たれたチャンバー10内に反応性ガスを導入すると共に、第1の高周波電源17からコイル15に高周波電力を印加して反応性ガスからなるプラズマ23を発生させる。プラズマ23中のイオン種を用いてウエハ20の表面にプラズマ処理を行なう。高周波電力の印加状態に、高レベルの印加期間と、停止又は低レベルの印加期間とを交互に設けることにより、プラズマ23中に生成されウエハ20の表面に飛来するイオン種の組成比を制御する。

Claim (excerpt)：

真空状態に保たれたチャンバー内に反応性ガスを導入すると共に、高周波電力を印加して前記反応性ガスからなるプラズマを発生させ、発生したプラズマ中のイオン種を用いて被加工試料の表面にプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法であって、前記高周波電力の印加状態に、高レベルの印加期間と、停止又は低レベルの印加期間とを交互に設けることにより、前記プラズマ中に生成され前記被加工試料の表面に飛来するイオン種の組成比を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/507 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (7)：

C23C 16/507 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 C ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 E

F-Term (32)：

4K030DA03 ,  4K030FA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA11 ,  4K030JA16 ,  4K030KA20 ,  4K030KA39 ,  4K057DA11 ,  4K057DA13 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB17 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DG15 ,  4K057DM14 ,  4K057DM20 ,  4K057DM28 ,  4K057DM37 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07