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J-GLOBAL ID：200903027227255146

高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法

Inventor： 長町 信治
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 中井 宏行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991073946
Publication number (International publication number)：1993211120
Application date： Mar. 13, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】高輝度集束イオンビーム装置を用いて、微細な薄膜化合物パターンを生成する。【構成】高輝度集束イオンビーム装置Aを用いて、イオン源より生成すべき化合物パターンを構成する一方の元素のイオンビームを放出させ、上記基板表面のイオンビームの照射される付近を、生成すべき化合物パターンを構成する他方の元素のガス雰囲気に保持し、更にイオンビームの到達運動エネルギーを、ガスにイオン元素を化学結合させるレベルに制御することによって、高輝度集束イオンビームを用いて化合物の薄膜パターンを連続して生成している。

Claim (excerpt)：

イオン源より放出された高速イオンビームを偏向し減速しながら、基板表面に照射して薄膜パターンを形成する方法であって、上記基板表面に照射するイオンビームを、生成すべき化合物パターンを構成する一方のイオン元素とし、かつ上記基板表面のイオンビームの照射される付近を生成すべき化合物パターンを構成する他方の元素からなるガス雰囲気に保持するとともに、上記イオンビームの基板表面への到達運動エネルギーを、両イオン元素を化学結合させる程度のレベルに調整保持させることを特徴とする高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法。【0001】

IPC (2)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-170940
  
• 特開平1-127671
  
• 特開平2-181984