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J-GLOBAL ID：200903027230523666

電界放出表示素子の製造方法

Inventor： 柳 宗勳
Applicant, Patent owner： 三星エスディアイ株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000218338
Publication number (International publication number)：2001176380
Application date： Jul. 19, 2000
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 製造原価が低いながらも画素パターンの高精細化が可能であり,電子放出効果の向上が可能な平板表示素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 導電ペーストを製造する段階と,製造された前記導電ペーストを,厚膜技術を利用して基板に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除去することにより所定のパターンを有する電極を形成する段階と,カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを製造する段階と,製造された前記面電子放出ペーストを,厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全面に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペーストのみを除去してエミッタを形成する段階と,を含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

導電ペーストを製造する段階と,製造された前記導電ペーストを,厚膜技術を利用して基板に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記導電ペーストの一部を除去することにより所定のパターンを有する電極を形成する段階と,カーボン系列の物質で面電子放出ペーストを製造する段階と,製造された前記面電子放出ペーストを,厚膜技術を利用して前記電極が形成された基板の全面に成膜する段階と,レーザーアブレーション法を利用し,所望のパターンにしたがって前記面電子放出ペーストのみを除去してエミッタを形成する段階と,を含むことを特徴とする電界放出表示素子の製造方法。