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J-GLOBAL ID：200903027232006006

HTC超伝導性導体のテクスチャー化方法及びかかる方法によって製造される導体

Inventor： ジエラール・デユペレー ,  ピーター・フライドリツチ・ヘルマン ,  ドウニ・レガ ,  アルベール・ルリツシユ ,  ジヤン-ピエール・タベルニエ
Applicant, Patent owner： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998165707
Publication number (International publication number)：1999086654
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フィラメント相互間の横断性インサートの形成を抑制する。【解決手段】 導体を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度よりも低温の冷却終端温度まで急冷して(12)、そこから超伝導材料の合成温度まで上昇させる(13)。

Claim (excerpt)：

銀ベースのマトリックス(2)と超伝導材料(3)(Bi1-xPbx)2Sr2CayCu1+yO6+2y〔但し、x∈〔0;0.4〕、y∈{0、1、2}〕とから成るHTc超伝導性導体のテクスチャー化方法であって、導体の温度を室温から超伝導材料の溶融温度まで上昇させる段階(10)と、導体を超伝導材料の溶融温度に等しい一定温度で短時間維持する段階(11)と、導体の温度を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度まで変化させる段階(16)と、導体を超伝導材料の合成温度に等しい一定温度で長時間維持する段階(14)と、導体の温度を超伝導材料の合成温度から室温まで低下させる段階(15)とを含み、導体の温度を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度まで変化させる段階(16)が、導体を超伝導材料の溶融温度から超伝導材料の合成温度よりも低温の冷却終端温度まで急激に冷却する段階(12)と、導体の温度を冷却終端温度から超伝導材料の合成温度まで上昇させる段階(13)とから成ることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 565 ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/10 ZAA

FI (4)：

H01B 13/00 565 D ,  C01G 1/00 S ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/10 ZAA