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J-GLOBAL ID：200903027240205557

シリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法

Inventor： 赤尾 安彦 ,  増茂 邦雄 ,  能代 誠
Applicant, Patent owner： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148258
Publication number (International publication number)：1996012316
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】成膜速度の高速化と、高純度な薄膜形成と、異常放電の発生防止とが同時に実現できるシリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法を提供する。【構成】500Ω・cm以上の比抵抗を有するシリコンをターゲット材料8に用い、成膜室の内部に形成されるプラズマ4を、シート形状として、該成膜室内に配置された基体10の表面上にシリコン系薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法において、500Ω・cm以上の比抵抗を有するシリコン(Si)をターゲット材料に用い、該シリコンターゲットに直流バイアスを印加しながら、成膜室の内部に形成されるプラズマを、該シリコンターゲットの表面と略平行に位置するシート形状とし、該成膜室内に配置された基体の表面上にシリコン系薄膜を形成することを特徴とするシリコン系薄膜のスパッタリング成膜方法。

IPC (4)：

C01B 33/02 ,  C03C 17/09 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/35