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J-GLOBAL ID：200903027243544956
エピタキシャルウェーハ及び黄色発光ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992161246
Publication number (International publication number)：1994005918
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 発光波長580〜630nmの黄色〜赤色に発光し、屋外でも使用可能な高輝度のLEDを提供すること。【構成】 GaP基板上に格子定数の異なる(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦1、0≦Y≦1)系材料を使用したDH構造エピタキシャル層を結晶成長し、DH構造部分各層のキャリア濃度を最適な範囲に制御することによって、当該ウェーハを使用して作製したLEDにおいて、発光領域に印加された電流が効率良く光に変換され従来より高輝度の黄色〜赤色LEDが得られる。【効果】 (AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦1、0≦Y≦1)系材料を使用したDH構造部分各層のキャリア濃度を最適な範囲に制御することにより、発光領域に印加された電流が効率良く光に変換され、屋外でも使用可能な黄色〜赤色の高輝度LEDを得ることができる。
Claim (excerpt)：
GaP半導体基板上に基板と異なる格子定数を有する半導体のダブルヘテロ構造(以下DH構造と称す)を持つエピタキシャルウェーハにおいて、下側クラッド層は結晶組成が(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0.15≦X≦0.50、0.55≦Y≦0.70)で表され、導伝型がn型であり、そのキャリア濃度が6×1017cm-3〜9×1017cm-3の範囲内にあり、活性層は結晶組成が(AlX Ga1-X )Y In1-Y P(0≦X≦0.25、0.55≦Y≦0.70で表され、導伝型がp型であり、そのキャリア濃度が8×1017cm-3〜2×1018cm-3の範囲内にあり、上側クラッド層は結晶組成が(AlXGa1-X )Y In1-Y P(0.15≦X≦0.50、0.55≦Y≦0.70)で表され、導伝型がp型であり、そのキャリア濃度が8×1017cm-3〜2×1018cm-3の範囲内にあることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。
Patent cited by the Patent：
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