Pat

J-GLOBAL ID：200903027247373757

フォトレジストの仕上がり形状予測方法およびその装置

Inventor： 山下 一博 ,  笹子 勝 ,  谷 美幸 ,  南 洋一 ,  関口 淳 ,  扇子 義久
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  ゼネラルシグナルジャパン株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193466
Publication number (International publication number)：1994112293
Application date： Aug. 04, 1993
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 フォトレジストの仕上がり形状を手間をかけず且つ正確に予測する方法を提供する。【構成】 フォトレジスト膜および下地膜の膜厚を一定にし露光量を変化させたときのフォトレジスト膜内の第1の溶解速度分布を求める。次に、露光量を一定にしフォトレジスト膜の膜厚を変化させたときのフォトレジスト膜内の第2の溶解速度分布を求める。次に、第1の溶解速度分布および第2の溶解速度分布から仕上がり形状を求めようとするフォトレジスト膜の所定の膜厚における露光量の変化に対するフォトレジスト膜内の第3の溶解速度分布を求める。次に、仕上がり形状を予測しようとするフォトレジスト膜内の光結像強度分布を求める。光の結像強度分布から仕上がり形状を求めようとするフォトレジスト膜内の所定部位における光結像強度と対応する露光量を求め、該露光量を第3の溶解速度分布に当てはめることによりフォトレジストの仕上がり形状を予測する。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト膜の多重干渉効果を定量化し、定量化されたフォトレジスト膜の多重干渉効果に基づきフォトレジストの仕上がり形状を予測することを特徴とするフォトレジストの仕上がり形状の予測方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027