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J-GLOBAL ID：200903027249543323

シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 多和田 裕子 ,  山本 憲治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999034453
Publication number (International publication number)：2000232234
Application date： Feb. 12, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 開放端電圧の低下や生産歩留りの低下を招くことなく、光閉じ込め効果による光電変換特性が改善されたシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 基板(1)上に順次積層された透明電極(10)と、一導電型層(111)、結晶質シリコン系光電変換層(112)および逆導電型層(113)を含む光電変換ユニット(11)と、光反射性金属電極(202)とを有するシリコン系薄膜光電変換装置であって、透明電極(10)は表面凹凸構造をなし、凹凸の高低差が10〜100nmであり、凹凸のピッチが凹凸の高低差より大きくかつその25倍以下である。

Claim (excerpt)：

基板上に順次積層された透明電極と、一導電型層、結晶質シリコン系光電変換層および逆導電型層を含む光電変換ユニットと、光反射性金属電極とを具備したシリコン系薄膜光電変換装置において、前記透明電極は表面凹凸構造を有し、前記凹凸の高低差が10〜100nmであり、前記凹凸のピッチが前記凹凸の高低差より大きくかつその25倍以下であることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

IPC (2)：

H01L 31/107 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/04 M

F-Term (21)：

5F049MB03 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11 ,  5F049SE12 ,  5F049SE16 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CB29 ,  5F051DA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23