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J-GLOBAL ID：200903027253116669
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334595
Publication number (International publication number)：1993142576
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ITOからなる透明電極をドレイン領域と良好に接続し、かつポジ型フォトレジストを用いて透明電極をパターン形成する。【構成】 ITOからなる透明電極17と半導体薄膜13のドレイン領域13cとはクロムからなる中継電極16およびアルミニウムからなるドレイン電極23を介して接続されている。すなわち、透明電極17はドレイン領域13cに直接ではなく中継電極16およびドレイン電極23を介して接続され、したがって透明電極17をドレイン領域13cと良好に接続することができる。しかも、一様に堆積されたITOをエッチングして透明電極17をパターン形成する際、ITOがクロムと接触してもアルミニウムと接触しないようにすることができるので、ITOをエッチングする際のマスクとしてポジ型フォトレジストを用いても、このポジ型フォトレジストの現像液(アルカリ水溶液)中でITOが溶解しないようにすることができる。
Claim (excerpt)：
ITOからなる透明電極と半導体薄膜のソース領域またはドレイン領域とをクロムからなる中継電極およびアルミニウムからなる電極を介して接続したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/40
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 A
, H01L 29/78 311 S
