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J-GLOBAL ID：200903027255991931

半導体部品におけるバンプ電極の形成方法

Inventor： 上田 茂幸
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993057096
Publication number (International publication number)：1994267963
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体部品5における電極パッド5aに対して、金等の金属製のバンプ電極3bを、前記半導体部品5にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。【構成】 転写板1の表面に、金属ペースト3を、スクリーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタブレット状の金属ペースト3aを、前記転写板1上において加熱・焼成することによってバンプ電極3bに形成したのち、このバンプ電極3bを、前記転写板1から半導体部品5における電極パッド5aに転写・接合する。

Claim (excerpt)：

耐熱性を有する転写板の表面に、金ペースト又は銀ペースト等の金属ペーストを、スクリーン印刷によってタブレット状に塗着して、次いで、このタブレット状の金属ペーストを、前記転写板上において加熱・焼成することによってバンプ電極に形成したのち、このバンプ電極を、前記転写板から半導体部品における電極パッドに転写・接合することを特徴とする半導体部品におけるバンプ電極の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-203452
  
• 特開平4-091542
  
• マイクロホンユニツトの取付構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-289932   Applicant：三菱電機株式会社