電子デバイスの製造時におけるプラズマ処理及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996500593
Publication number (International publication number)：1997501272
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】薄膜アドレス兼駆動回路を有する大面積液晶ディスプレイ装置の如き大面積電子デバイスの製造に当っては、ガス送給有孔電極(12)に対向する支持電極(11)の上に取付けたデバイス基板(4)上にてプラズマ処理を行なう。反応性プラズマ(5)は前記両電極(11,12)間の空所内に、少なくとも有孔電極(12)を経て前記空所内に送給される反応ガスの混合物から発生される。該反応ガスの混合物はプラズマ処理にて第2反応ガス(例えばN2)よりも速い割合で消費される第1反応ガス(例えば、SiH4)を含んでいる。1個以上の第2供給ライン(22)は有孔電極の或る領域(12b)を経て、第1供給ライン(21)によって供給される一次混合物よりも第1反応ガスを多量に含む二次混合物を送給する。この装置によって、支持電極(11)の領域上方にてプラズマ処理をより一層均一に行なうことができる。

Claim (excerpt)：

ガス送給有孔電極に対向する支持電極の上に取付けたデバイス基板上にてプラズマ処理を行ない、反応性プラズマは前記2つの電極間の空所内に、少なくとも前記有孔電極を経て前記空所内に送給される反応性ガスの混合物から発生させ、該ガス混合物が第1供給ラインによって供給される前記空所の第1領域から前記ガス混合物を前記基板を横切る方向へと流し、且つ第2供給ラインが前記有孔電極を経て前記空所の第2領域へ前記ガス混合物を送給し、前記第2領域を前記第1領域からガス混合物が流れる方向に沿って位置させるようにして電子デバイスを製造する方法において、前記ガス混合物が、該混合物における第2反応ガスよりも速い割合でプラズマ処理にて消費される第1反応ガスを含み、且つ前記第2供給ラインが、前記第1供給ラインによって供給される一次混合物よりも第1反応ガスを多量に含む二次混合物を供給して、プラズマ処理が支持電極の領域全体にわたり均一に行われるようにすることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (6)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開昭59-094748
特開昭62-290885
特開平1-169931

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