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J-GLOBAL ID：200903027278934234

厚膜・薄膜混成多層配線基板

Inventor： 菅野 憲一 ,  松山 治彦 ,  田中 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116218
Publication number (International publication number)：1995321467
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】厚膜配線基板部の収縮率のばらつきに起因する接続不良を防止し、かつ高密度で量産性に優れた経済的な厚膜・薄膜多層配線基板を提供する。【構成】LSIを実装するモジュール対応の多層配線基板であって、薄膜配線部10と厚膜配線基板部20とからなり、厚膜配線層21は、基板表面に露出した接続用厚膜ヴィア22を介して薄膜配線11の薄膜パッド13に接続されている。厚膜配線基板部20の表面には、薄膜パッド13形成時に用いる凹状に形成された位置合わせ用厚膜ヴィア30が露出している。【効果】位置合わせ用厚膜ヴィアを用いた厚膜/薄膜パターンの位置合わせが、製造上比較的簡便に、かつ経済的に実施することが可能になり、厚膜基板の収縮率のばらつきに起因する厚膜/薄膜接続不良の防止に寄与する。

Claim (excerpt)：

厚膜配線基板部とその片面または両面にある薄膜配線部とからなり、該薄膜配線部と該厚膜配線基板部内層にある厚膜配線層とを該厚膜配線基板部の該表面に露出している接続用厚膜ヴィアを介して接続してなる厚膜・薄膜混成多層配線基板において、薄膜配線部形成時に必要となる厚膜配線基板部と薄膜配線部との位置合わせマークとして、該厚膜配線基板の該表面に露出し、その形状を凹状または凸状に形成された複数の位置合わせ用ヴィアを有することを特徴とする厚膜・薄膜混成多層配線基板。