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J-GLOBAL ID：200903027279518129
多環式縮合芳香族基ペンダントポリシラン類及びその製造方法並びに導電性重合体
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994254494
Publication number (International publication number)：1995149910
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Jun. 13, 1995
Summary：
【要約】【構成】 下記一般式(1)で示される多環式縮合芳香族基ペンダントポリシラン類。 〔(R<SP>1</SP>R<SP>2</SP>Si)<SB>k</SB>(R<SP>3</SP>R<SP>4</SP>Si)<SB>m</SB>〕<SB>n</SB> ...(1)(但し、式中R<SP>1</SP>,R<SP>2</SP>,R<SP>3</SP>,R<SP>4</SP>はそれぞれ水素原子又は一価の炭化水素基であるが、R<SP>3</SP>,R<SP>4</SP>の少なくとも1つは下式で示される多環式縮合芳香族基を含有する一価炭化水素基である。また、k,m,nは0≦k<1,0<m≦1,k+m=1,n≧6の整数である。)R<SP>5</SP>-C<SB>p</SB>H<SB>2p</SB>-(但し、式中R<SP>5</SP>は多環式縮合芳香族基、pは1≦p≦12の整数である。)【効果】 本発明の多環式縮合芳香族基ペンダントポリシラン類は、酸化性ドーパントによりドーピングにより高電気伝導性を示し、光導電性材料、導電性材料等として有用である。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される多環式縮合芳香族基ペンダントポリシラン類。 〔(R<SP>1</SP>R<SP>2</SP>Si)<SB>k</SB>(R<SP>3</SP>R<SP>4</SP>Si)<SB>m</SB>〕<SB>n</SB> ...(1)(但し、式中R<SP>1</SP>,R<SP>2</SP>,R<SP>3</SP>,R<SP>4</SP>はそれぞれ水素原子又は一価の炭化水素基であるが、R<SP>3</SP>,R<SP>4</SP>の少なくとも1つは下式で示される多環式縮合芳香族基を含有する一価炭化水素基である。また、k,m,nは0≦k<1,0<m≦1,k+m=1,n≧6の整数である。)R<SP>5</SP>-C<SB>p</SB>H<SB>2p</SB>-(但し、式中R<SP>5</SP>は多環式縮合芳香族基、pは1≦p≦12の整数である。)
IPC (3)：
C08G 77/60 NUM
, C08L 83/16 LRM
, H01B 1/12
