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J-GLOBAL ID:200903027282307660
発光素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991331374
Publication number (International publication number):1993145118
Application date: Nov. 19, 1991
Publication date: Jun. 11, 1993
Summary:
【要約】【目的】 同一チップサイズにおいてより高輝度化を図り得る上部電極及び素子構造を提供すること。【構成】 発光素子1の表面に十字型の帯状上部電極3が形成され、該上部電極3の側辺30に沿って発光素子の一部を表面から垂直方向に除去した切欠部10を設け、該切欠部10においてPN接合層2を表出させてなる。電極直下のPN接合層2で生じた光を自己吸収なしに取り出せるので、発光素子の高輝度化が図れる。
Claim (excerpt):
発光素子の表面に帯状の上部電極が形成され、該帯状上部電極の側辺に沿って発光素子の一部が表面から垂直方向に除去された切欠部を有し、該切欠部においてPN接合層が表出していることを特徴とする発光素子。
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