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J-GLOBAL ID：200903027288045829

不揮発性記憶装置

Inventor： 村上 祐吉
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235074
Publication number (International publication number)：1993075072
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 メモリセルのチップ面積を小さくできて装置全体のチップ面積の縮小化が図れ、回路基板の高実装化に大いに寄与できる不揮発性記憶装置を実現する。【構成】 一端末がセンス増幅器14に接続された2本のビット線8、9に強誘電体膜を用いた1個のコンデンサ1とMOSトランジスタ2で構成されるメモリセル3を接続する。ビット線8には2個のMOSトランジスタ5、6と、強誘電体膜を用い容量がコンデンサ1の容量の1/2であるダミーコンデンサ4とで構成されるダミーセル7a、7bを接続する。ビット線9にも同様のダミーセル7c、7cを接続する。データの読み出しは、ビット線8に接続されたメモリセル3に蓄積された電荷とビット線9に接続されたダミーセル7c、7dに蓄積された電荷の差分、即ちビット線8、9間に現れる電位差をセンス増幅器14で増幅検出して行う。データ”1”を読み出す場合の電位差とデータ”0”を読み出す場合の電位差は、絶対値が同じで極性が逆になるので、データ”1”と”0”との判別が行える。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜を用いたコンデンサ1個とMOSトランジスタ1個とで構成されるメモリセルが複数接続されたビット線と、該ビット線2本と接続されるセンス増幅器とを半導体基板上に複数配列し、該コンデンサの強誘電体膜の分極方向を2値情報に対応させて記憶する不揮発性記憶装置であって、強誘電体膜を用い、該メモリセルの該コンデンサの1/2の大きさの容量を有するダミーコンデンサ1個と、アクセス用のMOSトランジスタ1個及び該ダミーコンデンサの該強誘電体膜を分極させる為のMOSトランジスタ1個とで構成されるダミーセルを該2本のビット線それぞれに2個接続すると共に、該メモリセルの該コンデンサから該ビット線への分極電荷を読み出す前に、同一ビット線に接続された2個のダミーセル内の該ダミーコンデンサの強誘電体膜を相互に反対方向に分極し、該センス増幅器に接続された一方の該ビット線に該メモリセルからの分極電荷を読み出すと同時に、他方の該ビット線に2個のダミーセルからの分極電荷を読み出し、両ビット線間に現れた電位差を該センス増幅器で増幅してデータの読み出しを行うようにした不揮発性記憶装置。

IPC (5)：

H01L 27/112 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/416 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 433 ,  G11C 11/34 331 ,  H01L 29/78 371