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J-GLOBAL ID：200903027314194803

導電回路基板の製造方法

Inventor： 福島 基夫 ,  田部井 栄一 ,  荒又 幹夫 ,  森 滋
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997327010
Publication number (International publication number)：1998209586
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 基板上に形成されたオルガノポリシラン膜に、酸素の存在下に選択的に光照射を行い、光照射部にSiO結合を持つパターンを形成し、次いで光未照射部のオルガノポリシラン膜を溶解させず、SiO結合を持つパターン部のみを溶解させる溶剤を用いて、上記パターン部を溶解し、上記光未照射部のオルガノポリシラン膜のみを基板に残した後、このオルガノポリシラン膜に酸素の存在下に光照射を行って、オルガノポリシラン膜の表面にSiO結合を形成し、これに銀塩を接触、還元させて、銀導電層を形成させることを特徴とする導電回路基板の製造方法。【効果】 本発明により、安価で簡便な工程により、高い導電率の導電層を持ち、導電性の経時変化が少なく、優れたパターン精細度の高導電回路を得ることができる。これにより、各種フレキシブルスイッチ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用保護膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐体等に応用可能な有用な導電回路の形成方法として、電気、電子、通信分野に広く用いることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたオルガノポリシラン膜に、酸素の存在下に選択的に光照射を行い、光照射部にSiO結合を持つパターンを形成し、次いで光未照射部のオルガノポリシラン膜を溶解させず、SiO結合を持つパターン部のみを溶解させる溶剤を用いて、上記パターン部を溶解し、上記光未照射部のオルガノポリシラン膜のみを基板に残した後、このオルガノポリシラン膜に酸素の存在下に光照射を行って、オルガノポリシラン膜の表面にSiO結合を形成し、これに銀塩を接触、還元させて、銀導電層を形成させることを特徴とする導電回路基板の製造方法。

IPC (5)：

H05K 1/09 ,  C23C 26/00 ,  H01L 21/3205 ,  H05K 3/02 ,  H05K 3/24

FI (5)：

H05K 1/09 C ,  C23C 26/00 Z ,  H05K 3/02 Z ,  H05K 3/24 A ,  H01L 21/88 M