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J-GLOBAL ID：200903027316943463

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 木下 充矢 ,  田中 義典
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186032
Publication number (International publication number)：1996051151
Application date： Aug. 08, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 誘電体膜の膜厚を均一にし、且つ、より小さな径のコンタクトホールを形成することができる半導体装置を得る。【構成】 半導体基板1と、半導体基板1上に形成された層間絶縁膜6と、層間絶縁膜6上に形成されたプラズマ窒化膜12と、層間絶縁膜6およびプラズマ窒化膜12を貫通して半導体基板1に至るまで形成されたコンタクトホール13と、コンタクトホール13に埋め込まれるとともにプラズマ窒化膜12上に形成された導電体膜14と、導電体膜14上に窒化膜15bおよびSiO215aが順次積層されて成る誘電体膜15とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に形成された第1の膜と、上記層間絶縁膜および上記第1の膜を貫通して上記半導体基板に至るまで形成されたコンタクトホールと、上記コンタクトホールに埋め込まれるとともに上記第1の膜上に形成された導電体膜と、上記導電体膜上に窒化膜および酸化膜が順次積層されて成る誘電体膜とを備えた半導体装置において、上記第1の膜がプラズマ窒化膜にて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/90 M ,  H01L 27/10 621 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-221122   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-171758