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J-GLOBAL ID：200903027317039248
長波長帯面発光レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995320035
Publication number (International publication number)：1997162483
Application date： Dec. 08, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 上記従来技術に鑑みて成されたものであり、導電性を持った高反射率の反射鏡の導入と、簡便かつ確実な電流狭窄構造及び導波構造の導入とを同時に行うことが可能な長波長帯面発光レーザを提供することを課題とする。【解決手段】 InPに格子整合する活性層を含む半導体層の少なくとも一方の面を、GaAsに格子整合するAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>AsとAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>As(ただし、0≦x<y<1)とからなる半導体分布ブラッグ反射鏡12を含む半導体層と直接接着してなる長波長帯面発光レーザにおいて、半導体分布ブラッグ反射鏡と前記接着界面との間に、Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>As(ただし、y<z≦1)からなる電流狭窄層22を少なくとも1つ以上設け、前記電流狭窄層22を途中まで酸化させてなる電流狭窄構造と前記半導体分布ブラッグ反射鏡12を途中まで酸化させてなる導波構造とを有する。
Claim (excerpt)：
InPに格子整合する活性層を含む半導体層の少なくとも一方の面を、GaAsに格子整合するAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>AsとAl<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>As(ただし、0≦x<y<1)とからなる半導体分布ブラッグ反射鏡を含む半導体層と直接接着してなる長波長帯面発光レーザにおいて、半導体分布ブラッグ反射鏡と前記接着界面との間に、Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>As(ただし、y<z≦1)からなる電流狭窄層を少なくとも1つ以上設け、少なくとも前記電流狭窄層を途中まで酸化させてなる電流狭窄構造と前記半導体分布ブラッグ反射鏡を途中まで酸化させてなる導波構造とを有することを特徴とする長波長帯面発光レーザ。
Patent cited by the Patent：
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